Zur Herstellung hocheffizienter CdTe-Dünnschichtsolarzellen ist die Abscheidung dichter, kompakter und homogener Halbleitschichten von größter Bedeutung. Ein fundamentales Verständis der Wachstumsmechanismen ermöglicht die Auswahl der am besten geeigneten Abscheideparameter und somit ein maßgeschneidertes Wachstum mit optimierten strukturellen und elektrischen Eigenschaften. Mit dieser Motivation wird in dieser Arbeit das Wachstum der CdS und CdTe-Schichten in ausgedehnten, systematischen Untersuchungen charakterisiert. Es wird gezeigt, in welcher Weise die Schichten ihr Wachstum gegenseitig beeinflussen, welchen Einfluß die CdCl2-Aktivierung auf die Struktur hat und welche Rolle planare Defekte hierbei einnehmen. Es wird ein völlig neuer Parameterbereich für die Abscheidung des CdTe aufgedeckt, der die Abscheidung bei niedrigen Substrattemperaturen erlaubt. Wichtigste Werkzeuge hierbei sind die Röntgenbeugung und hochauflösende Rasterelektronenmikroskopie.
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